CGXW-LV系列位移传感器

1、 用途及特点
差动变压器式(LVDT)位移传感器具有良好的环境适应性、使用寿命长、灵敏度和分辨率高的特点。使用时只要把LVDT的壳体夹固在参照物上,其测杆顶(或夹固)在被测点上,就可以直接测量物体间的相对变位。广泛用于测量预先被变成位移的各种物理量。

把LVDT的电测线路采用微电子技术全部封装入LVDT的壳体内。输入电压±9V~±15V,输出信号±5V或0~5V或0~10V或4~20mA的信号,可与四位半数显表配合使用,该仪器便于携带和在无交流电源的环境中使用。DC-LVDT具有较强的抗干扰能力,可在潮湿,大电流或强磁场等恶劣环境下工作,适宜遥测。


2、 工作原理
LVDT位移传感器由同心分布在线圈骨架上一初级线圈P,二个级线圈S1和S2组成,线圈组件内有一个可自由移动的杆装磁芯(铁芯),当铁芯在线圈内移动时,改变了空间的磁场分布,从而改变了初次级线圈之间的互感量M,当初级线圈供给一定频率的交变电压时,次级线圈就产生了感应电动势,随着铁芯的位置不同,次级产生的感应电动势也不同,这样,就将铁芯的位移量变成了电压信号输出。为了提高传感器灵敏度改善线性度,实际工作时是将两个次级线圈反串接,故两个次级线圈电压极性相反,于是,传感器的输出是两个次级线圈电压之差,其电压差值与位移量成线性关系。原理图如下


参数名称 测量范围(mm) 线性度土(%) 灵敏度(mV/mm) 直流差动变压器
外形尺寸(mm) 重量(g)
高 精 度 直 流 差 动 变 压 器
LV一0.5
±0.5(0~1)
0.05
10000
140×φ15
90
LV一1
±1(0~2)
0.05
5000
140×φ15
95
LV一2
±2(0~4)
0.05
2500
140×φ15
95
LV一5
±5(0~10)
0.05
1000
190×φ21.4
220
LV一10
±10(0~20)
0.05
500
220×φ21.4
240
LV一15
±15(0~30)
0.05、0.1
333
240×φ21.4
260
LV一20
±20(0~40)
0.05、0.1
250
245×φ21.4
270
LV —25
±25(0~50)
0.05、0.1
200
250×φ21.4
280
LV— 30
±30(0~60)
0.1、0.2
166
255×φ21.4
285
LV— 35
±35(0~70)
0.1、0.2
143
255×φ21.4
290
LV一50
±50(0~100)
0.1、0.2
100
350×φ21.4
420
LV一75
±75(0~150)
0.1、0.2
66
370×φ21.4
423
LV一100
±100(0~200)
0.1、0.2
50
445×φ21.4
450
LV一125
±125(0~250)
0.2、0.3
40
465×φ21.4
454
LV —150
±150(0~300)
0.1、0.2
33.3
581×φ21.4
611
LV一200
±200(0~400)
0.2、0.3
25
581×φ21.4
611
LV一250
±250(0~500)
0.2、0.3
20
830×φ21.4
840
LV一300
±300(0~600)
0.2、0.3
16.6
840×φ21.4
845

3、 使用注意事项
1、传感器测杆应与被测物垂直接触。
2、请别让活动的铁芯和测杆受大的侧向力而造成变形弯曲,否则会严重影响测杆的活动灵活性。传感器不可敲打、跌落。
3、避免所有引线在焊接处和电缆的夹固处断线。
4、夹持传感器壳体时应避免松动,但也不可用力太大、太猛。
5、安装传感器时应调节(挪动)传感器的夹持位置,使其位移变化不超出测量范围,既通过观测位移读数,使位移在预定的变化内,信号输出不超出额定范围 。
                   
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